| 发明名称 | 一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法，包括：在半导体衬底上形成堆叠纳米线结构，所述纳米线结构包括至少一层纳米线，所述纳米线结构的两端通过支撑衬垫与半导体衬底连接；在所述纳米线结构上淀积栅介质层和假栅电极材料层；在所述假栅电极材料层上形成假栅掩模图形；在所述假栅掩模图形保护下对所述假栅电极材料层进行第一刻蚀，直至所述纳米线结构中最上层纳米线上的栅介质层露出；对剩余的假栅电极材料层进行第二刻蚀，直至半导体衬底上最底部的栅介质层露出。 | ||
| 申请公布号 | CN105679662A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610033601.1 | 申请日期 | 2016.01.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孟令款;徐秋霞;闫江 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法，包括：在半导体衬底上形成堆叠纳米线结构，所述纳米线结构包括至少一层纳米线，所述纳米线结构的两端通过支撑衬垫与半导体衬底连接；在所述纳米线结构上淀积栅介质层和假栅电极材料层；在所述假栅电极材料层上形成假栅掩模图形；在所述假栅掩模图形保护下对所述假栅电极材料层进行第一刻蚀，直至所述纳米线结构中最上层纳米线上的栅介质层露出；对剩余的假栅电极材料层进行第二刻蚀，直至半导体衬底上最底部的栅介质层露出。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||