| 发明名称 | 具有用于应力和带隙调节的可变包覆层/芯尺寸的晶体管结构 | ||
| 摘要 | 一种装置，包括设置在衬底上且限定沟道区的异质结构，该异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料和具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在沟道区上的栅极叠置体，其中第二材料被设置在第一材料和栅极叠置体之间。该方法包括在衬底上形成具有第一带隙的第一材料；在第一材料上形成具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在第二材料上形成栅极叠置体。 | ||
| 申请公布号 | CN105684154A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201380079217.X | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | W·拉赫马迪;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;B·舒-金;R·科特利尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种半导体设备，包括：设置在衬底上并限定沟道区的异质结构，所述异质结构包括具有第一带隙的第一材料和具有第二带隙的第二材料，所述第一带隙小于所述衬底的材料的带隙，所述第二带隙大于所述第一带隙；和位于所述沟道区上的栅极叠置体，所述栅极叠置体包括电介质材料和位于所述电介质材料上的栅极电极，其中，所述第二材料设置在第一III‑V族材料与所述栅极叠置体之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||