ETCHING METHOD AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

摘要

반도체 기판에 있어서의 TiN 함유층에 에칭액을 적용해서 TiN 함유층을 에칭하는 공정을 갖는 에칭방법으로서, 에칭액은 물과, 이 물 중의 염기성 화합물과 산화제를 pH 8.5∼14의 범위 내로 포함하고, TiN 함유층의 표면 산소 함유율은 0.1몰%∼10몰%인 에칭방법.