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본 발명은 비평탄 형상을 구비한 사파이어 기판 상에 편평한 반도체 층을 성장시킨, III족 질화물 반도체 발광 소자, 및 그의 제조 방법을 제공한다. 사파이어 기판의 주면 상의 편평한 표면 면적(S) 대 총 면적(K)의 면적 비(R)가 0.1 이상 내지 0.5 미만일 경우, 주면 상에 비평탄 형상을 갖는 사파이어 기판 상에 반도체 층을 형성할 시에, 식 1,000 ≤ Y /(2×R) ≤ 1,200을 만족하도록, III족 원소를 포함하는 원료 기체 및 V족 원소를 포함하는 원료 기체 중 적어도 2종류의 기체가 공급된다. 식에서, Y는 V족 원소를 포함하는 원료 기체 대 III족 원소를 포함하는 원료 기체의 분압비이다. |
