发明名称 半导体封装件及其形成方法
摘要 提供了一种半导体器件和用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括:具有邻近集成电路管芯的通孔的集成电路,其中,模塑料置于集成电路管芯和通孔之间。通孔具有延伸穿过图案化层的突出件,并且通孔可以从图案化层的表面偏移。通过选择性地去除晶种层可以形成凹槽,其中,晶种层用于形成通孔。本发明涉及半导体封装件及其形成方法。
申请公布号 CN105679741A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201510656984.3 申请日期 2015.10.12
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 余振华;刘重希;林志伟;郑明达
分类号 H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在载体衬底上方形成第一层;在所述第一层中形成第一开口;在所述第一层上方形成通孔,所述通孔延伸至所述第一开口内;在所述第一层上方放置集成电路;在所述第一层上方形成模塑料,所述模塑料沿着所述集成电路和所述通孔的侧壁延伸;在所述集成电路和所述通孔上形成重分布层;以及去除所述载体衬底。
地址 中国台湾新竹