| 发明名称 | 内连线结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种内连线结构的形成方法，在内连线结构的形成中，于介电层内形成金属图形，使用前驱物以及包含碳的碳源气体作为前驱物，在金属图形及介电层之上形成蚀刻停止层，碳源气体中不含有二氧化碳，前驱物则选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组。采用本发明提供的内连线结构的形成方法，实验显示蚀刻停止层具有非常低的介电常数值，其可介于约3.0至约4.0之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105679651A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610031430.9 | 申请日期 | 2011.02.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王冠程;施伯铮;柯忠祁;林耕竹;郑双铭 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 金鹏;周滨 |
| 主权项 | 一种内连线结构的形成方法，包括：提供一介电层；形成一金属图形在该介电层内；以及形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该金属图形和该介电层上，其中该蚀刻停止层是包括氧掺杂碳化物的单层，其中该蚀刻停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：一前驱物，选自于由1‑甲基硅烷、2‑甲基硅烷、3‑甲基硅烷、4‑甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；以及一含有碳的碳源气体，其中，该碳源气体包括C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>，其中该碳源气体中不含二氧化碳。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||