| 发明名称 | 具有垂直存储器部件的单片式三维(3D)集成电路(IC)(3DIC) | ||
| 摘要 | 公开了具有垂直存储器部件(64)的单片式三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)。具有用于块间布线的紧密间距的垂直单片式层间过孔(MIV)(68)和每个层(62)处用于块存取的复用器(70)的3D存储器交叉开关(66)架构被用来缩短整个导体的长度并且减少阻容(RC)延迟。对这样的长的交叉开关的消除减少了交叉开关的RC延迟并且通常改善性能和速度。此外，对长的水平交叉开关的消除使得导体布线更容易。具有其小的行程长度的MIV可以在不需要转发器的情况下工作(不同于长的交叉开关)，并且控制逻辑单元可以被用来基于使用配置存储体。 | ||
| 申请公布号 | CN105683864A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201480057939.X | 申请日期 | 2014.10.15 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | P·卡迈勒;Y·杜;K·萨马迪 |
| 分类号 | G06F1/32(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | G06F1/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张扬;王英 |
| 主权项 | 一种三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)，包括：存储器结构，其包括：多个层，每个层具有存储元；多个单片式层间过孔(MIV)，其跨越所述多个层；第一复用器，其被安放在所述多个层之中的第一层中，并且耦合到所述多个层中的所述第一层内的至少相应的存储元；第二复用器，其被安放在所述多个层之中的第二层中，并且耦合到所述多个层中的所述第二层内的至少第二相应的存储元；以及控制逻辑单元，其被配置为，如果有存储元是活动的话，确定哪些存储元是活动的，并且基于这样的确定来重新配置对存储元的使用。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||