| 摘要 |
위상 시프트막의 막 두께를 박막화시켜, OPC 패턴이 도괴되지 않고, 패턴 정밀도의 요구를 만족시킬 수 있어, 광학 특성의 제어성, 패턴 결함 검사가 가능한 위상 시프트 마스크, 및 그 원판인 위상 시프트 마스크 블랭크가 요구되고 있다. 투광성 기판 상에, ArF 엑시머 레이저광의 파장에 대한 투과율이 9％ 이상 30％ 이하이고, 위상차가 150° 이상 180° 미만인 광학 특성을 갖는 금속, Si 및 N을 주된 구성 요소로 하는 위상 시프트막과, 위상 시프트막 상에 형성된 차광막을 갖고, 상기 위상 시프트막의 막 두께가 80㎚ 이하이고, ArF 엑시머 레이저광의 파장에 대한 굴절률(n)이 2.3 이상이며, 소쇠 계수(k)가 0.28 이상인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크에 관한 것이다. |
