| 摘要 |
본 발명은 자기장의 2개 또는 3개의 성분을 측정하기 위한 자기장 센서 장치(10)에 관한 것이다. 이러한 목적을 위항 2개의 하프-브릿지(16)들을 구비한 적어도 하나의 휘트스톤 측정 브릿지(14)를 포함하며, 각 하프-브릿지(16)는 적어도 2개의 브릿지 저항(30)들을 포함하고, 2개의 브릿지 저항(30)들 중 적어도 하나는 X/Y 자기장 센서 평면(20)에서 자기장 성분(34)에 관하여 자기 감응 브릿지 저항(18)이다. X/Y 자기장 센서 평면(20)에 수직으로 배향된 Z 자기장 성분(24)에 관하여 반대칭 자기장 성분들을 발생시키는 강자성 자속 집중화 소자(22)가 2개의 자기장 감응 브릿지 저항(18)들 사이에 대칭으로 배열되고, X/Y 자기장 센서 평면(20)에 위치된다. 적절한 양태는 이러한 자기장 센서 장치(10)의 수단에 의해 외부 자기장의 2차원 또는 3차원 배향을 측정하기 위한 방법을 제안한다. |
