发明名称 芯片上电容
摘要 本发明提供一种电容,其包括第一导电层、与第一导电层平行间隔设置的第二导电层、与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部、与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部。其中第一导电部和第二导电部相互平行且间隔交替地形成阵列,每个导电部形成于至少三个层上,这样扩大了导电部之间的相对面积,大大的增加了电容值,从而在单位晶圆面积上提高了电容密度。
申请公布号 CN102201407B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201010132948.4 申请日期 2010.03.24
申请人 北京中星微电子有限公司 发明人 王钊
分类号 H01L27/08(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L27/08(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;卢军峰
主权项 一种电容,其特征在于,其包括:第一导电层;与第一导电层平行间隔设置的第二导电层;与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部;与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部,其中各第二导电部与各第一导电部平行间隔设置;其中第一导电部和第二导电部形成一个阵列,第一导电部和第二导电部在所述阵列的一个边缘方向上交替排布,第一导电部和第二导电部在所述阵列的另一个边缘方向上也交替排布;其中,将所述第一导电层、所述第二导电层替换为导线,并通过所述导线分别将所述第一导电部、所述第二导电部连接。
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