用于集成有电容器的FinFET的结构和方法

摘要

本公开提供用于集成有电容器的FinFET的结构和方法，其中，半导体结构的一个实施例包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在半导体衬底中。STI部件包括设置在第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在第二区域中并具有大于第一深度的第二厚度T2的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷。半导体结构还包括：多个鳍式有源区，位于半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在鳍式有源区和STI部件上，其中，一个导电部件覆盖第一区域中的STI部件的第一部分。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域被所述第二区域围绕；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在所述半导体衬底中，其中，所述STI部件包括设置在所述第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在所述第二区域中并具有大于所述第一厚度T1的第二厚度T2的第二部分，所述STI部件的所述第一部分相对于所述STI部件的所述第二部分凹陷，并且所述STI部件的所述第一部分与所述STI部件的所述第二部分相邻接；多个鳍式有源区，位于所述半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在所述鳍式有源区和所述STI部件上，其中，一个导电部件完全覆盖所述第一区域中的所述STI部件的所述第一部分。