| 发明名称 | 一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构的制作方法，包括：在P型衬底刻蚀浅沟槽作隔离；在浅槽底部注入硼离子经过热处理后形成N型赝埋层；在浅槽底部注入磷离子经过热处理后形成P型赝埋层；在P型衬底进行集电区注入；在集电区上方形成外延层；自外延层通过接触孔引出发射极，自N型赝埋层通过深接触孔引出基极，自P型赝埋层通过深接触孔引出集电极。本发明还公开了一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构。本发明的SiGe HBT采用工艺的寄生PNP器件结构及其制作方法，采用浅槽刻蚀工艺简单，能用作高速、高增益电路中的输出器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103050517B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201110311540.8 | 申请日期 | 2011.10.14 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：(1)在P型衬底刻蚀浅沟槽作隔离；(2)在浅槽底部注入磷离子经过热处理后形成N型赝埋层；(3)在浅槽底部注入硼离子经过热处理后形成P型赝埋层；(4)在P型衬底进行集电区注入,使集电区与N型赝埋层形成接触；(5)在集电区上方形成外延层；(6)自外延层通过接触孔引出发射极，自N型赝埋层通过深接触孔引出基极，自P型赝埋层通过深接触孔引出集电极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||