发明名称 实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法
摘要 本发明涉及一种实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法,其中包括第一PMOS场效应管、第二PMOS场效应管、感性负载、第一NMOS场效应管、第二NMOS场效应管、负载电流采样电阻、第一比较器、第二比较器、第一控制器和第二控制器,所述的第一控制器用以根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭,所述的第二控制器用以根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭。采用该种结构的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法,可以减小换相冲击和可闻噪声,提高系统工作可靠性并节约系统成本,可以显著提高系统工作效率、提高功率密度并提高可靠性,具有更广泛的应用范围。
申请公布号 CN103825508B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201410104484.4 申请日期 2014.03.20
申请人 绍兴光大芯业微电子有限公司 发明人 田剑彪;王换飞
分类号 H02P6/14(2016.01)I 主分类号 H02P6/14(2016.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括:第一PMOS场效应管,该第一PMOS场效应管的漏极与供电电源相连接;第二PMOS场效应管,该第二PMOS场效应管的漏极与供电电源相连接;感性负载,该感性负载的第一端与所述的第一PMOS场效应管的源极相连接,该感性负载的第二端与所述的第二PMOS场效应管的源极相连接;第一NMOS场效应管,该第一NMOS场效应管的漏极与感性负载的第一端相连接;第二NMOS场效应管,该第二NMOS场效应管的漏极与感性负载的第二端相连接;负载电流采样电阻,该负载电流采样电阻的第一端分别与所述的第一NMOS场效应管的源极和第二NMOS场效应管的源极相连接,该负载电流采样电阻的第二端接地;第一比较器,该第一比较器的第一输入端输入第一渐变参考信号,该第一比较器的第二输入端与所述的负载电流采样电阻的第一端相连接;第二比较器,该第二比较器的第一输入端输入第二渐变参考信号,该第二比较器的第二输入端与所述的负载电流采样电阻的第一端相连接;第一控制器,用以根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭,该第一控制器连接于所述的第一比较器的输出端和第一PMOS场效应管的栅极之间;第二控制器,用以根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭,该第二控制器连接于所述的第二比较器的输出端和第二PMOS场效应管的栅极之间;所述的第一控制器用于当所述的第一比较器的第二输入端的电压大于第一输入端的电压时关闭第一PMOS场效应管以及当所述的第一比较器的第二输入端的电压小于第一输入端的电压时打开第一PMOS场效应管;所述的第一渐变参考信号在系统预设时间内从系统预设最大值变换为0V。
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