| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第1绝缘层，设置有到达第1电极的第1开口部，并且在第1开口部具有环状的第1侧壁；氧化物半导体层，配置于第1侧壁，并且与第1电极连接；栅极绝缘层，配置于氧化物半导体层上；栅电极，与配置于第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和第2电极，配置于第1绝缘层的上方，并且与氧化物半导体层连接，氧化物半导体层配置于第1侧壁与栅极绝缘层之间，栅极绝缘层配置于氧化物半导体层与栅电极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105655400A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201510828720.1 | 申请日期 | 2015.11.25 |
| 申请人 | 株式会社日本显示器 | 发明人 | 佐佐木俊成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：第1电极；第1绝缘层，设置有到达所述第1电极的第1开口部，在所述第1开口部具有环状的第1侧壁；氧化物半导体层，配置于所述第1侧壁，与所述第1电极连接；栅极绝缘层，配置于所述氧化物半导体层上；栅电极，与配置于所述第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和第2电极，配置于所述第1绝缘层的上方，与所述氧化物半导体层连接，所述氧化物半导体层配置于所述第1侧壁与所述栅极绝缘层之间，所述栅极绝缘层配置于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||