发明名称 黑硅电池片及其制备方法及黑硅光伏组件
摘要 本发明的提供一种黑硅电池片的制备方法及其制得的黑硅电池片及包括该黑硅电池片的黑硅光伏组件,在黑硅电池片的表面形成周期性减反射结构,绒面面结构规则,黑硅电池片的反射率低,制得的黑硅光伏组件的CTM高。一种黑硅电池片的制备方法,依次包括如下步骤:S1、用酸溶液对硅片制绒;S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜,所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元,各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形;S3、选择性地对所述硅片进行RIE干法制绒;S4、去除掩膜。
申请公布号 CN105655446A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201610181805.X 申请日期 2016.03.28
申请人 中利腾晖光伏科技有限公司 发明人 魏青竹;汪燕玲;连维飞;倪志春
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 孙仿卫
主权项 一种黑硅电池片的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:S1、用酸溶液对硅片制绒;S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜,所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元,各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形;S3、选择性地对所述硅片进行RIE干法制绒;S4、去除掩膜。
地址 215542 江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号