HETEROSTRUCTURE INCLUDING ANODIC ALUMINUM OXIDE LAYER

摘要

양극 알루미늄 산화물 층을 포함하는 반도체 구조체가 설명된다. 양극 알루미늄 산화물 층은 반도체 층과 재료의 다른 층 사이에 위치될 수 있다. 양극 알루미늄 산화물 층은 반도체 층의 인접한 표면으로 연장하는 복수의 공극들을 포함할 수 있다. 재료의 층은 복수의 공극들 중 적어도 일부를 관통할 수 있으며, 반도체 층과 직접 접촉할 수 있다. 예시적인 일 실시예에 있어, 재료의 층은 전도성 재료이며, 양극 알루미늄 산화물은 p-형 접촉부에 위치된다.