发明名称 | MEMS器件的形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种MEMS器件的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成含碳的牺牲层;在所述牺牲层上以及牺牲层的侧壁覆盖材料层;刻蚀部分所述材料层,以在所述材料层中形成露出部分牺牲层的孔洞;通过所述孔洞进行刻蚀以去除所述牺牲层,形成由所述材料层与所述衬底构成的空腔。本发明的有益效果在于,形成的空腔整体性更好,并且可以降低去除牺牲层之后,在空腔中留有残留物的几率,进而有利于增加形成的MEMS器件的整体性能。 | ||
申请公布号 | CN105645349A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
申请号 | CN201410736247.X | 申请日期 | 2014.12.04 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 伏广才;张校平 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
主权项 | 一种MEMS器件的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在衬底上形成含碳的牺牲层;在所述牺牲层上以及牺牲层的侧壁覆盖材料层;刻蚀部分所述材料层,以在所述材料层中形成露出部分牺牲层的孔洞;通过所述孔洞进行刻蚀以去除所述牺牲层,形成由所述材料层与所述衬底构成的空腔。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |