| 发明名称 | 钼硅靶材的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种钼硅靶材的制造方法，包括：提供钼粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；将所述钼硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钼硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钼硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105642899A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201410667330.6 | 申请日期 | 2014.11.20 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 |
| 分类号 | B22F3/12(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | B22F3/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张亚利;骆苏华 |
| 主权项 | 一种钼硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钼粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；将所述钼硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钼硅靶材。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市名邦科技工业园区安山路198号 | ||