发光二极管封装和制造方法

摘要

公开了发光二极管(LED)器件和发光二极管器件的封装。在一些方面，使用包括多个层的垂直构造来制造LED。某些层用于提升器件的机械特性、电特性、热特性或光学特性。所述器件避免了一些设计问题，包括传统LED器件中存在的制造复杂、成本和散热问题。一些实施方案包括多个光学许可层，包括堆叠在半导体LED上方并且使用一个或更多个对准标记定位的光学许可覆盖衬底或晶片。

主权项

一种发光器件，所述发光器件包括：半导体LED，所述半导体LED包括P型掺杂区、本征区和N型掺杂区，其中所述本征区位于所述P型掺杂区和所述N型掺杂区之间，所述半导体LED限定第一凹陷以暴露所述N型掺杂区的N型掺杂表面；导电金属化层，所述导电金属化层直接接触所述半导体LED的P型掺杂表面和所述N型掺杂表面中的每个的至少一部分，其中所述P型掺杂表面位于所述半导体LED的所述P型掺杂区的被暴露的部分上，并且所述N型掺杂表面和所述P型掺杂表面彼此平行；蓝宝石层，所述蓝宝石层直接接触所述半导体LED的第一表面，所述半导体LED的所述P型掺杂表面和所述第一表面彼此平行并且位于所述半导体LED的相对的面上；光学许可层，所述光学许可层直接接触所述蓝宝石层，所述光学许可层包括光学可限定材料，所述光学可限定材料含有量子点和/或荧光体，所述光学可限定材料被调适来改变穿过所述光学可限定材料的发射光中的至少一些的频率；光学许可覆盖衬底，所述光学许可覆盖衬底覆盖所述半导体LED、所述导电金属化层、所述蓝宝石层和所述光学许可层中的至少一部分；以及钝化层，所述钝化层直接接触所述金属化层、所述蓝宝石层、所述光学许可层的表面以及所述半导体LED，其中所述钝化层限定第一接触孔，以暴露设置在所述N型掺杂表面上的所述金属化层的上金属表面的第一部分，并且所述钝化层直接接触设置在所述N型掺杂表面上的所述金属化层的所述上金属表面的第二部分，其中所述钝化层限定第二接触孔，以暴露设置在所述P型掺杂表面上的所述金属化层的下金属表面的第一部分，并且所述钝化层直接接触设置在所述P型掺杂表面上的所述金属化层的所述下金属表面的第二部分，并且其中所述上金属表面、所述下金属表面、所述N型掺杂表面、所述P型掺杂表面以及所述光学许可层的所述表面彼此平行。