发明名称 插入硅和/或锡的多孔碳基底
摘要 本发明涉及一种用于生产导电性、多孔的、包含硅和/或锡的碳材料的方法,其尤其适合用于生产优选用于锂离子电池的电极材料;在第一工序中,优选将晶体硅纳米粒子和/或锡纳米粒子和/或硅/锡纳米粒子引入基于至少一种有机聚合物的基质,更优选分散在其中,随后在第二工序中,将包含硅、锡和/或硅/锡纳米粒子的所形成的聚合物基质碳化形成碳。
申请公布号 CN102089240B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN200980127184.5 申请日期 2009.07.14
申请人 杜伊斯堡-艾森大学 发明人 克里斯托弗·舒尔茨;哈特穆特·威格斯
分类号 C01B31/00(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M4/08(2006.01)I;H01M4/58(2006.01)I 主分类号 C01B31/00(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种用于生产导电性、多孔的、包含硅和/或锡的材料的方法,其适用于生产阳极材料和锂离子电池,其特征在于(i)在第一工序中,将硅纳米粒子和/或锡纳米粒子和/或硅/锡纳米粒子引入基于至少一种有机聚合物的基质,其中,硅纳米粒子、锡纳米粒子和/或硅/锡纳米粒子在加入到有机聚合物中之前经过通过烷基甲硅烷基功能化的表面改性功能化,有机单体和/或聚合物是磺化的和/或具有磺酸基,和(ii)然后在第二工序中,将包含硅和/或锡和/或硅/锡纳米粒子的聚合物基质碳化成碳材料,所述碳材料具有50‑2000m<sup>2</sup>/g的BET表面积,并且所述碳材料具有在0.01‑4m<sup>3</sup>/g范围内的根据Gurvich确定的作为总孔隙体积的孔隙度,其中气孔形成碳材料总体积的的10‑80vol%。
地址 德国艾森