| 发明名称 | 电子元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种均衡地提高半导体芯片的芯片保持性、拾取性、及污染防止性的电子元件的制造方法，其包含：在晶圆背面形成粘合剂半硬化层的粘合剂形成步骤；在晶圆的粘合剂半硬化层与环形架上贴附粘合片而进行固定的贴附步骤；将晶圆分割成半导体芯片的切割步骤；照射紫外线的紫外线照射步骤；以及自粘合层拾取芯片与粘合剂半硬化层的拾取步骤，在该制造方法中使用形成有粘合层的粘合片，所述粘合层通过具有规定组成的粘合剂而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103109354B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201180044902.X | 申请日期 | 2011.09.14 |
| 申请人 | 电化株式会社 | 发明人 | 齐藤岳史;高津知道 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J11/06(2006.01)I;C09J133/06(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杨黎峰 |
| 主权项 | 一种电子元件的制造方法，该制造方法包括：粘合剂形成步骤，在晶圆背面涂布糊状粘合剂，对该糊状粘合剂照射紫外线或加热，使其半硬化成片状，形成粘合剂半硬化层；贴附步骤，在该晶圆的粘合剂半硬化层与环形架上贴附粘合片，并进行固定；切割步骤，用切割刀切割晶圆而分割成半导体芯片；照射紫外线的紫外线照射步骤；以及自粘合层拾取芯片与粘合剂半硬化层的拾取步骤，该粘合片具有基材膜、层合于基材膜的一个面上的粘合层，构成该粘合层的粘合剂具有100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)、5～200质量份的紫外线聚合性化合物(B)、0.5～20质量份的多官能异氰酸酯硬化剂(C)、0.1～20质量份的光聚合引发剂(D)、与0.1～20质量份的硅氧烷聚合物(E)，(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)是(甲基)丙烯酸酯单体的共聚物或(甲基)丙烯酸酯单体与乙烯基化合物单体的共聚物，(甲基)丙烯酸酯单体与乙烯基化合物单体都不具有羟基，紫外线聚合性化合物(B)是由氨基甲酸乙酯‑丙烯酸酯低聚物(B1)与多官能(甲基)丙烯酸酯(B2)所构成，氨基甲酸乙酯‑丙烯酸酯低聚物(B1)的重均分子量为50000以上，且所述重均分子量Mw与数均分子量Mn之比、即分散度Mw/Mn为5以上，且具有10个以上乙烯基，光聚合引发剂(D)具有羟基，硅氧烷聚合物(E)具有羟基。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||