发明名称 一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明公开了一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池从上而下依次为:电池的正极1、减反射膜2、透明导电前电极3、非晶硅P层4、非晶硅本征层5、微晶硅N层6、微晶硅P层7、非晶硅I层8、N型硅衬底9、非晶硅I层10、非晶硅N层11、透明导电背电极12、电池的负极13。本发明充分利用太阳的光谱,制备出了高效的太阳电池。
申请公布号 CN105655433A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201610232185.8 申请日期 2016.04.13
申请人 黄广明 发明人 黄广明
分类号 H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/078(2012.01)I
代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 代理人 冯筠
主权项 一种晶体硅/非晶硅双节太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池从上而下依次为:电池的正极、减反射膜、透明导电前电极、非晶硅P层、本征非晶硅层、微晶硅N层、微晶硅P层、非晶硅I层、N型硅衬底、非晶硅I层、非晶硅N层、透明导电背电极、电池的负极,其中所述减反射膜包括底层二氧化硅层、中间层氮化硅层和表层二氧化硅层,所述透明导电前电极包括依次层叠的第一石墨烯层、金属网格薄膜层以及第二石墨烯层,所述透明导电背电极包括依次层叠的第三石墨烯层以及纳米金属层。
地址 528000 广东省佛山市三水区西南街道康乐路16号502