发明名称 |
阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。所述方法包括:在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层;在衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案;对形成有导电氧化物层和半导体层图案的衬底基板进行退火处理;在形成有退火处理后的导电氧化物层图案的衬底基板上形成源极和漏极;去除源极和漏极之间的导电氧化物层图案。本发明通过在半导体层和导电氧化物层上形成导电氧化物层图案和半导体层图案,之后对导电氧化物层图案进行退火以提高该层的抗刻蚀能力,解决了相关技术中制作工序复杂的问题。 |
申请公布号 |
CN105655294A |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201610025512.2 |
申请日期 |
2016.01.14 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
发明人 |
姜涛;林亮;韩领;马骏 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
鞠永善 |
主权项 |
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层;在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案,所述导电氧化物层图案的形状和所述半导体层图案的形状一致;对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行退火处理;在形成有退火处理后的所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板上形成源极和漏极;去除所述源极和漏极之间的退火处理后的导电氧化物层图案。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |