发明名称 显示器件
摘要 本发明涉及一种显示器件,包括包含多个像素的像素部分,每个像素都包括第一晶体管、第二晶体管及发光元件,在该显示器件中,第一晶体管的栅极与扫描线电连接,第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接,第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的栅极电连接;第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接,它们中的另一个与发光元件电连接,第一晶体管包括氧化物半导体层。显示器件显示静止图像的时段包括其中停止向像素部分内的全部扫描线输出信号的时段。
申请公布号 CN105655351A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201610009295.8 申请日期 2010.10.22
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 高桥圭;山崎舜平
分类号 H01L27/12(2006.01)I;G09G3/3233(2016.01)I;H01L27/32(2006.01)N 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 肖靖
主权项 一种显示器件,包括:像素部分,包括多个像素,每个像素包括第一晶体管、第二晶体管以及发光元件;驱动电路部分,用于驱动所述像素部分;以及显示控制电路,用于控制对所述驱动电路部分供应图像信号,其中,所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接,其中,所述第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接,其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接,其中,所述第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述发光元件电连接,其中,所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层,该第一氧化物半导体层包括所述第一晶体管的沟道形成区,其中,所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌,并且其中,所述第一氧化物半导体层是结晶的。
地址 日本神奈川