发明名称 |
一种刻蚀用掩膜组及应用其的衬底刻蚀方法 |
摘要 |
本发明提供的刻蚀用掩膜组及应用其的衬底刻蚀方法,其包括采用光刻胶材料制作的第一掩膜层,以及采用可提高相对于衬底的刻蚀选择比的材料制作第二掩膜层,其中,第一掩膜层设置在衬底的表面上;第二掩膜层设置在第一掩膜层上;第一掩膜层和第二掩膜层各自的图形底部宽度被设置为:第一掩膜层和第二掩膜层之间的预设连线的倾斜角度与第一掩膜层的固定倾斜角度一致。本发明提供的刻蚀用掩膜组,其可以达到改善衬底的图形形貌的目的。 |
申请公布号 |
CN105655231A |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201410639922.7 |
申请日期 |
2014.11.13 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
李宗兴 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种刻蚀用掩膜组,其通过采用光刻工艺在衬底的表面上制作形成所需的图形,以控制衬底刻蚀后获得的图形的侧壁拐角,其特征在于,包括采用光刻胶材料制作的第一掩膜层,以及采用可提高相对于衬底的刻蚀选择比的材料制作第二掩膜层,其中,所述第一掩膜层设置在所述衬底的表面上;所述第二掩膜层设置在所述第一掩膜层上;所述第一掩膜层和第二掩膜层各自的图形底部宽度被设置为:所述第一掩膜层和第二掩膜层之间的预设连线的倾斜角度与所述第一掩膜层的固定倾斜角度一致;所述预设连线为所述第一掩膜层的图形底角和与之相同一侧的所述第二掩膜层的图形底角之间的连线;所述固定倾斜角度为仅利用所述第一掩膜层刻蚀衬底时,所述第一掩膜层在出现正梯形截面时的侧壁倾斜角度。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |