高压LED芯片的钝化层沉积方法

摘要

本发明提供一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，包括以下步骤：钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO₂钝化层；钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的SiO₂钝化层；非腐蚀区域为隔离槽的侧壁，和隔离槽的底面邻近侧壁的区域；交替进行钝化层沉积步骤和钝化层去除步骤多次，且随交替次数的增加，使非腐蚀区域在其剖面上的宽度逐次增大。本发明提供的高压LED芯片的钝化层沉积方法，其可以减小芯片侧壁的倾斜角度，从而可以避免蒸镀电极连接桥时出现断桥，进而可以提高高压LED芯片的良率。

主权项

一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO₂钝化层；钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的所述SiO₂钝化层；所述非腐蚀区域为所述隔离槽的侧壁，和所述隔离槽的底面邻近所述侧壁的区域；交替进行所述钝化层沉积步骤和所述钝化层去除步骤多次，且随交替次数的增加，使所述非腐蚀区域在其剖面上的宽度逐次增大。