一种晶体生长方法和设备

摘要

本发明公开了一种晶体生长方法，包括S1：捕获下晶温度；S2：使坩埚温度达到步骤S1中下晶温度；S3：根据坩埚温度以及籽晶质量变化进行下晶操作；具体的，对盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度；获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度；使坩埚温度达到下晶温度；缓慢下移籽晶；当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；根据籽晶质量变化微调坩埚温度。本发明的晶体生长方法，可利用升温过程中温度随时间变化曲线获取晶体准确下晶温度；并且避免在下晶过程中由保温系统的温度梯度对籽晶造成热冲击，根据籽晶质量变化随时调整适合的温度。

主权项

一种晶体生长的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：捕获下晶温度；S2：使坩埚温度达到步骤S1所述的下晶温度；S3：根据坩埚温度以及籽晶质量变化进行下晶操作；其中，步骤S1包括以下步骤：S11：对盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度，所述目标温度高于晶体材料的熔点；S12：获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度；步骤S3包括以下步骤：S31：缓慢下移籽晶；S32：当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；S33：监测籽晶质量增减速度，当籽晶质量增减速度范围处于阈值V内，对坩埚保持原有加热状态；当籽晶质量增加或减小速度范围超过阈值V，升高或降低坩埚的温度，然后上移籽晶，执行步骤S31，重新下晶。