| 发明名称 | 利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法，包括：按照光刻胶边界到光刻胶打开区域内的前层有源区层和多晶硅层的距离，将离子注入层版图图形边界进行分类，其中将所述距离小于或等于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第一类别，将所述距离大于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第二类别；对第二类别的离子注入层版图图形边界添加第二尺寸的辅助图形，所述第二尺寸的辅助图形会在硅片上曝出图形；对第一类别的离子注入层版图图形边界添加第一尺寸的辅助图形，其中所述第一尺寸的辅助图形不会在硅片上曝出图形。 | ||
| 申请公布号 | CN105652586A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201610212558.5 | 申请日期 | 2016.04.07 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张月雨;倪晟;于世瑞 |
| 分类号 | G03F1/36(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/36(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法，其特征在于包括：第一步骤：按照光刻胶边界到光刻胶打开区域内的前层有源区层和多晶硅层的距离，将离子注入层版图图形边界进行分类，其中将所述距离小于或等于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第一类别，将所述距离大于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第二类别；第二步骤：对第二类别的离子注入层版图图形边界添加第二尺寸的辅助图形，所述第二尺寸的辅助图形会在硅片上曝出图形；第三步骤：对第一类别的离子注入层版图图形边界添加第一尺寸的辅助图形，其中所述第一尺寸的辅助图形不会在硅片上曝出图形。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||