发明名称 晶片封装体及其形成方法
摘要 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底的该下表面之下;一介电层,位于所述导电垫之间;一沟槽,自该基底的该上表面朝该下表面延伸;一孔洞,自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸,其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面,且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫;以及一导电层,位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度,还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
申请公布号 CN102891120B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201110209118.1 申请日期 2011.07.22
申请人 精材科技股份有限公司 发明人 颜裕林;陈键辉;刘沧宇;尤龙生
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一上表面及一下表面;堆叠的多个导电垫,位于该基底的该下表面之下,其中所述导电垫中的一上层导电垫的中间具有至少一开口或沟槽,该开口或该沟槽露出所述导电垫中的一下层导电垫;一介电层,位于所述导电垫之间;一沟槽,自该基底的该上表面朝该下表面延伸;一孔洞,自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸,其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面,且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫;一导电层,位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫;以及一防焊层,位于该导电层之上,其中至少一气泡或空隙位于该防焊层之中。
地址 中国台湾桃园县