去除BPSG薄膜中散射状颗粒的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除BPSG薄膜中散射状颗粒的方法，通过在BPSG沉积工艺之后，继续在反应腔室内通入一段时间的惰性气体，以将在该反应腔室内残留的气体吹出反应腔室，进而净化了反应腔室内的工艺环境条件，再对器件进行后续的半导体制造工艺，有效避免了进行SACVD中的BPSG工艺产生的散射状颗粒缺陷的问题，在节约工艺成本的同时，增大了产品的良率。

主权项

一种去除BPSG薄膜中散射状颗粒的方法，应用于SACVD工艺中，其特征在于，包括：于一工艺腔室内对一具有半导体器件结构的衬底上进行BPSG沉积工艺；采用氖气、或氩气、或氪气、或疝气对所述工艺腔室内进行一定时间的吹净工艺后，对所述衬底进行后续半导体工艺。