发明名称 基于ARM自适应方向控制的磁隔离数据输入输出模块
摘要 本发明涉及的是基于ARM自适应方向控制的磁隔离数据输入输出模块,这种基于ARM自适应方向控制的磁隔离数据输入输出模块包括ARM微控制器、自适应控制磁隔离RS-485收发换向电路、磁隔离输入输出由自由转换电路、启动方式选择电路,自适应控制磁隔离RS-485收发换向电路、磁隔离输入输出由自由转换电路、启动方式选择电路分别与ARM微控制器连接;自适应控制磁隔离RS-485收发换向电路包括芯片ADuM2483和三极管集电极;磁隔离输入输出自由转换电路的2个ADuM1400芯片共8路输入输出通路,每路的输入输出端都加了一个三引脚的跳线;启动方式选择电路采用了电阻R<sub>18</sub>、电阻R<sub>19</sub>、一个两引脚跳线。本发明提高了数据的收发效率,稳定性和抗干扰能力强,实现了专用编程器和串行口两种更新系统固件的方法。
申请公布号 CN103294637B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201310170045.9 申请日期 2013.05.10
申请人 东北石油大学 发明人 郭福田;曾丽丽;张昕;赵忖;刘心红;刘彦昌
分类号 G06F13/40(2006.01)I 主分类号 G06F13/40(2006.01)I
代理机构 哈尔滨东方专利事务所 23118 代理人 曹爱华
主权项 一种基于ARM自适应方向控制的磁隔离数据输入输出模块,其特征在于:这种基于ARM自适应方向控制的磁隔离数据输入输出模块包括ARM微控制器、自适应控制磁隔离RS‑485收发换向电路、磁隔离输入输出自由转换电路、启动方式选择电路,自适应控制磁隔离RS‑485收发换向电路、磁隔离输入输出自由转换电路、启动方式选择电路分别与ARM微控制器连接;所述的ARM微控制器采用型号为STM32F103的ARM微控制器;自适应控制磁隔离RS‑485收发换向电路包括芯片ADuM2483和三极管,三极管集电极与芯片ADuM2483第4引脚和第5引脚相连,并通过第二十一电阻R<sub>21</sub>接电源,第二十六电阻R<sub>26</sub>与芯片ADuM2483的13引脚相连,第三十电阻R<sub>30</sub>与芯片ADuM2483的12引脚相连,芯片ADuM2483的发送引脚接地;磁隔离输入输出自由转换电路包括芯片2个ADuM1400, 2个ADuM1400芯片共8路输入输出通路,每路的输入输出端都加了一个三引脚的跳线;外部跳线引脚3与芯片ADuM1400的输入引脚相连,内部跳线引脚3与芯片ADuM1400的输出引脚相连,外部跳线引脚1与内部跳线引脚3相连,外部跳线引脚3与内部跳线引脚1相连;启动方式选择电路采用了第十八电阻R<sub>18</sub>、第十九电阻R<sub>19</sub>、一个两引脚跳线;第十八电阻R<sub>18</sub>一端连接BOOT0,另一端连接BOOT00,第十九电阻R<sub>19</sub>一端连接BOOT00,另一端接地,BOOT00与电源端通过跳线连接。
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