碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能抑制在溅射金属材料且在碳化硅基体上对金属膜进行成膜时在碳化硅与金属之间的界面产生的损伤，并能稳定制造具有一定的电气特性的碳化硅半导体装置。溅射由金属材料构成的靶材（23），在碳化硅基体（10）上对金属膜进行成膜。此时，从靶材（23）溅射的金属材料及从气体导入口（27）流入的溅射用气体的对碳化硅基体（10）的入射能在变为比碳化硅的结合能小的条件下，具体而言，在变为比4.8eV小的条件下，对金属膜进行成膜。例如，将施加于阴极（21）与阳极（22）之间的高频电压设为20V以上300V以下，对金属膜进行成膜。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在由真空泵抽气的腔室内，对由相互对向配置的阳极及阴极构成的一对电极间施加高频电压，使所述一对电极间发生溅射用气体的等离子，以发生的所述等离子中的离子溅射配置于所述阴极上的金属材料，使溅射的所述金属材料堆积于与所述金属材料对向配置于所述阳极上的碳化硅基体上，对金属膜进行成膜的工序，在对所述金属膜进行成膜的工序中，所述金属材料及所述溅射用气体的对所述碳化硅基体的入射能在变为比碳化硅的结合能小的条件下，对所述金属膜进行成膜，作为所述入射能变为比所述碳化硅的结合能小的条件，将施加于所述一对电极间的所述高频电压设为20V以上300V以下。