一种紫外雪崩光电探测器

摘要

一种紫外雪崩光电探测器自下而上包括硅衬底1、硅基雪崩层2、缓冲层3、成核层4、吸收层5。本发明不同于常规AlGaN材料在蓝宝石或者SiC衬底生长而是采用在硅基上通过缓冲层和成核层生长而成，其中，AlGaN材料作为吸收层有效地提高了对紫外光波段的响应，硅衬底成本低、单晶尺寸大且质量高，具有低的暗电流和噪声，雪崩层也由硅材料制作而成，具有低的雪崩击穿电压。紫外光正入射进入AlGaN，激发光生电子-空穴对，在外加电场的作用下单一载流子(电子)进入硅基雪崩层触发雪崩增益，实现吸收区和雪崩区分离，具有低的雪崩击穿电压、高增益、低噪声和高带宽，具有广泛的应用范围。

主权项

一种紫外雪崩光电探测器，该探测器其结构从下到上依次为：硅衬底、雪崩层、缓冲层、成核层、吸收层，其特征在于雪崩层为硅基雪崩层。