相邻半导体鳍形部间有场电极的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及相邻半导体鳍形部间有场电极的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有半导体鳍形部，所述半导体鳍形部被构造在半导体本体的基平面与主表面之间，并且在其中分别在主表面和沟道/本体区域之间构造源极区域，以及在沟道/本体区域和基平面之间构造漂移区。此外，半导体器件还包括分别在相应的沟道/本体区域的两个彼此对置的侧上的栅极电极结构以及在彼此相邻的半导体鳍形部之间的经过场电介质与漂移区分开的并且从主表面延伸直至基平面的场电极结构。被分配给彼此相邻的半导体鳍形部的栅极电极结构将场电极结构的上部分从至少两侧围住。

主权项

半导体器件，其包括：半导体鳍形部（190），所述半导体鳍形部（190）被构造在半导体本体（100）的基平面（BP）和主表面（101）之间，并且在所述半导体鳍形部（190）中，分别在所述主表面（101）和沟道/本体区域（115）之间构造源极区域（110），以及在所述沟道/本体区域（115）和所述基平面（BP）之间构造漂移区（120）；分别在相应的沟道/本体区域（115）的相互对置的两侧上的栅极电极结构（150）；在彼此相邻的半导体鳍形部（190）之间的经过场电介质（251）与所述漂移区（120）分开的并且从所述主表面（101）延伸直至所述基平面（BP）的场电极结构（250），其中被分配给彼此相邻的半导体鳍形部（190）的栅极电极结构（150）将所述场电极结构（250）的上部分从至少两侧围住；在所述基平面（BP）和与所述主表面（101）对置的背面表面（102）之间的、净掺杂材料浓度为至少1E18 cm^‑3的被掩埋的连接层（140x）；以及晶体管连接（391），所述晶体管连接（391）与所述连接层（140x）相连并包括触点或者高掺杂的柱，所述触点或者所述高掺杂的柱从所述主表面（101）延伸直至所述连接层（140x）。