发明名称 深脑刺激与神经调控的大规模面阵超声探头及其制备方法
摘要 用于深脑刺激与神经调控的大规模面阵超声的探头及其制备方法首先制备M*N型压电复合材料,因为压电复合材料是切穿的,可以大大降低相邻压电阵元间的串声干扰。采用溅射电极层并分散切割电极的工艺方法,按照阵元的排列分散第一正面电极,地电极不分散切割并通过包边电极层将地电极引在第一正面电极层,减少地电极信号引线。同时,可以实现单面集中接线,工艺简单可靠。再使用多层柔性电路板连线,多层柔性电路板上引线端阵列与阵元排列相同,采用两边对齐方式,将多层柔性电路板上的引线端与对应的阵元电极信号引线端对齐,容易找准多层柔性电路板的正确位置,保证可以将电极信号引线正确引出。
申请公布号 CN105640588A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201410728213.6 申请日期 2014.12.03
申请人 中国科学院深圳先进技术研究院 发明人 郑海荣;郭瑞彪;李永川;钱明;薛术;陈然然
分类号 A61B8/00(2006.01)I 主分类号 A61B8/00(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 吴平
主权项 一种用于深脑刺激与神经调控的大规模面阵超声的探头的制备方法;包括以下步骤:取精磨后的压电复合材料,沿其横向切割出M行凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;再沿其纵向切割出N列凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;其中,M行凹形槽和N列凹形槽的朝向一致;将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽体均磨去,使其露出添加的去耦材料,形成M*N压电复合材料阵列;将所述M*N压电复合材料阵列溅射电极层,将所述M*N压电复合材料阵列的第一正面沿M行、N列凹形槽去除电极层;形成M*N阵列电极;将所述M*N压电复合材料阵列的第一正面依次粘接第一匹配层、第二匹配层及声透镜;采用多层柔性电路板将所述M*N压电复合材料阵列的电极信号引出,并将多层柔性电路板的信号引线端与M*N阵列电极对齐;将背衬层与连接柔性电路板后的所述M*N压电复合材料阵列的电极层粘接,从而形成大规模面阵超声的探头。
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