| 发明名称 | 一种提高闪存存储性能的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高闪存存储性能的方法和装置，以解决在提高闪存存储性能的同时，影响擦除速度的问题。所述方法包括：将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份；将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布；使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。本发明将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份，将划分后的多份离子分多次注入到浮栅中，以使浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，浓度呈现梯度分布的离子使浮栅中形成固有的内电场，增加了吸附浮栅中充入的电子的能力，而且，没有改变浮栅周边绝缘层的厚度，对闪存的擦除性能没有造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN105655245A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201410641700.9 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 魏征;冯骏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人 | 苏培华 |
| 主权项 | 一种提高闪存存储性能的方法，其特征在于，包括：将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份；将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布；使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||