发明名称 高导热金属基板
摘要 本实用新型公开一种高导热金属基板,能改善高导热金属基板的生产品质。该高导热金属基板包括离型膜层、在所述离型膜层之上的高导热金属基板层、在所述高导热金属基板层之上的环氧树脂半固化片层、在所述环氧树脂半固化片层之上的铜箔层、在所述铜箔层之上的离型膜层;其中所述高导热金属基板层上钻有塞树脂孔;所述环氧树脂半固化片为1080环氧树脂半固化片或2116环氧树脂半固化片;所述环氧树脂半固化片在高温高压下压进高导热金属基板的塞树脂孔中。
申请公布号 CN205291774U 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201520875726.X 申请日期 2015.11.05
申请人 惠州市煜鑫达科技有限公司 发明人 吕植武
分类号 B32B15/12(2006.01)I;B32B15/092(2006.01)I;B32B15/20(2006.01)I;B32B15/18(2006.01)I;B32B37/06(2006.01)I;B32B37/10(2006.01)I;B32B37/15(2006.01)I 主分类号 B32B15/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高导热金属基板,其特征在于:    包括离型膜层、在所述离型膜层之上的高导热金属基板层、在所述高导热金属基板层之上的环氧树脂半固化片层、在所述环氧树脂半固化片层之上的铜箔层、在所述铜箔层之上的离型膜层;其中所述高导热金属基板层上钻有塞树脂孔;所述环氧树脂半固化片为1080环氧树脂半固化片或2116 环氧树脂半固化片;所述环氧树脂半固化片在高温高压下压进高导热金属基板的塞树脂孔中。
地址 516000 广东省惠州市仲恺高新区东江高新科技产业园东兴片区东祥南路1号