发明名称 PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺
摘要 一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备,包括沉积腔室,该沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室。一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺,采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备实施,能在同一腔室中完成对硅片的正、反两面的本征层沉积。本发明PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺既能够省去硅片翻转的工序,节省设备制造成本和生产时间,又能够很好的实现硅片正反两面的沉积。
申请公布号 CN103094403B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201110335233.3 申请日期 2011.10.28
申请人 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 发明人 郭群超;王凌云;柳琴;张愿成;张滢清;李红波
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人 杨元焱
主权项 一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备,包括沉积腔室、气路控制系统、电控系统及真空机组,沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接,电控系统与气路控制系统连接;其特征在于:所述的沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室,在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极,在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口,在p型沉积室的上电极上连接有进气口,在n型沉积室的下电极上连接有进气口;还包括硅片承载架,在进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室内分别设有硅片承载架的传送机构;所述的本征层沉积室内设有上下移动机构,该上下移动机构与设置在本征层沉积室外的驱动机构连接,上下移动机构在驱动机构的驱动下作上下移动并可带动硅片承载架上下移动;PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺是,采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备实施,包括以下步骤:A、将清洗后的硅片装载在承载架上,放入进片室,关上进片室的活动门并抽真空;B、待真空度达到一定数值后,将承载架传送到预热室,并设置温度,进行预加热;C、预热半个小时后,将承载架传送到本征层沉积室,并抽高真空,然后将承载架移动到与下电极靠在一起,从上电极通入气体源,启动射频电源,对硅片的正面进行本征层的沉积,完成对硅片正面的沉积后,将承载架移至与上电极靠在一起,从下电极通入气体源,启动射频电源,对硅片的背面进行本征层沉积,完成对硅片背面的沉积;D、完成双面本征层沉积后,将承载架传送到p型沉积室,并抽高真空,让承载架与下电极靠在一起,从上电极通入气体源,启动射频电源,对硅片正面进行p型非晶硅薄膜的沉积;E、完成p型非晶硅薄膜的沉积后,将承载架传送到n型沉积室,并抽高真空,让承载架与上电极靠在一起,从下电极通入气体源,启动射频电源,对硅片背面进行n型非晶硅薄膜的沉积;F、完成n型非晶硅薄膜的沉积后,将承载架传送到出片室,待温度降至室温后,取出硅片,关门抽真空;G、后续分别利用磁控溅射设备在硅片上双面制备ITO薄膜,并分别在其上蒸发银栅线电极,完成双面异质结太阳能电池的制备。
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