发明名称 |
液晶光栅及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种液晶光栅结构,其包括:上基板,其上设透明导电薄膜;下基板,其上依次光刻形成条状下接地电极层,在所述下接地电极上沉积第一电介质层,在所述电介质层上形成与所述下接地电极平行交错的寻址电极,在所述寻址电极上再次沉积第二电介质层,再在所述第二沉积电介质层形成与下接地电极重叠的条状上接地电极;液晶,夹设在所述上基板和所述下基板之间。本发明通过下玻璃基板上的上接地电极和下接地电极对寻址电极电力线的屏蔽作用,有效抑制了传统液晶光栅中寻址电极与上玻璃基板接地电极之间的横向电场,从而抑制扩展到非寻址电极区的边缘电场。本发明可用于设计高分辨率、大偏转角的液晶光栅器件。 |
申请公布号 |
CN104035229B |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201410243264.X |
申请日期 |
2014.06.03 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
杨磊;夏军;张晓兵 |
分类号 |
G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1337(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1333(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种液晶光栅,其包括:上基板,其上设透明导电薄膜;下基板,其上形成条状下接地电极,在所述下接地电极上沉积第一电介质层,在所述第一电介质层上形成与所述下接地电极平行交错的寻址电极,在所述寻址电极上再次沉积第二电介质层,再在所述第二电介质层上形成与下接地电极重叠的条状上接地电极;液晶,夹设在所述上基板和所述下基板之间。 |
地址 |
210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 |