一种超级结工艺中的深沟槽结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结工艺中深沟槽的制作方法，在硅衬底上进行外延生长；在生长的外延上进行P型离子注入后进行热扩散；在离子注入后的外延上至少再重复实施一次外延生长和P型离子注入形成底部沟槽区；进行外延生长，注入形成P阱，定义顶部沟槽区窗口；刻蚀顶部沟槽区，使顶部沟槽区与底部沟槽区彼此连接，顶部沟槽区填充，形成深沟槽。本发明还公开了一种超级结工艺中深沟槽的深沟槽结构。本发明的技术深沟槽制作方法，能提高器件的可靠性，降低外延填充难度，减少外延时间，加快流片速度。

主权项

一种超级结工艺中的深沟槽制作方法，其特征是，在硅衬底上进行以下步骤：(1)进行外延生长；(2)在生长的外延上进行P型离子注入后进行热扩散；(3)在离子注入后的外延上至少重复实施一次步骤(1)、(2)形成底部沟槽区；(4)进行外延生长，注入形成P阱，定义顶部沟槽区窗口；(5)刻蚀顶部沟槽区，使顶部沟槽区与底部沟槽区彼此连接，顶部沟槽区填充，形成深沟槽。