高出光效率的高调制发光二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种高出光效率的高调制的发光二极管及其制备方法。所述高出光效率的高调制发光晶体管包括发光二极管芯片，发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，发光外延结构设于衬底之上，发光外延结构依次包括第一N型半导体层、第一P型半导体层、量子阱层、第二P型半导体层、第二N型半导体层及导电层，所述第一P型半导体层包括P型铝镓氮电子阻挡层、P型接触层及P型铟镓氮层，量子阱层为未掺杂的In_0.2Ga_0.8N/In_0.05Ga_0.95N/GaN量子阱层，集电极设于第一N型半导体层，基极设于P型接触层，发射极设于导电层。本发明提供的发光二极管具有高出光效率和高速调制的优点。

主权项

一种高出光效率的高调制发光二极管，其特征在于，包括发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，所述发光外延结构包括依次叠设的第一N型半导体层、第一P型半导体层、量子阱层、第二P型半导体层、第二N型半导体层及导电层，所述第一N型半导体层叠设于所述衬底的外延生长面上，所述第一P型半导体层包括P型铝镓氮电子阻挡层、P型铟镓氮层及夹设于所述P型铝镓氮电子阻挡层和P型铟镓氮层之间的P型接触层，所述P型铝镓氮电子阻挡层叠设于所述第一N型半导体层上，所述量子阱层为未掺杂的In_0.2Ga_0.8N/In_0.05Ga_0.95N/GaN量子阱层，所述集电极设于所述第一N型半导体层，所述基极设于所述P型接触层，所述发射极设于所述导电层。