| 发明名称 | 一种闪存存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种闪存存储器及其制作方法，该闪存存储器制作方法包括：在硅衬底上形成至少一条栅极，且每条所述栅极外侧包裹有氮化物层；在所述硅衬底上每条所述栅极两侧的源极区域和漏极区域均形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层和所述氮化物层上形成层间介质层；对所述层间介质层进行蚀刻，在所述第一多晶硅层上方形成引出孔。利用本发明提供的闪存存储器的制作方法，可以实现在引出孔到存储单元栅极的距离尽量小的情况下，解决引出孔与栅极易短路的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105655343A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201610119566.5 | 申请日期 | 2016.03.03 |
| 申请人 | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 罗啸;熊涛;舒清明 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 胡彬;邓猛烈 |
| 主权项 | 一种闪存存储器制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成至少一条栅极，且每条所述栅极外侧包裹有氮化物层；在所述硅衬底上每条所述栅极两侧的源极区域和漏极区域均形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层和所述氮化物层上形成层间介质层；对所述层间介质层进行蚀刻，在所述第一多晶硅层上方形成引出孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15 | ||