| 发明名称 | In-Ga-Sn系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体膜、及半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001＜Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。 | ||
| 申请公布号 | CN102770577B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201180010725.3 | 申请日期 | 2011.02.22 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 糸濑将之;西村麻美;笠见雅司;矢野公规 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其包含由Ga<sub>3‑x</sub>In<sub>5+x</sub>Sn<sub>2</sub>O<sub>16</sub>表示的结晶结构的化合物，其中的X为0～1，且以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)，锌元素Zn的含量为10000ppm以下，0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.30＜Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.04≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.30 (3)。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||