发明名称 线性离子阱结构
摘要 本发明提供一种线性离子阱结构,其至少包括:用于连接强射频电压的正极的第一电极;与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极,用于连接强射频电压的负极或地;以及贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极,用于耦合辅助射频电压,其中,所述狭缝相对于所述开口设置。本发明的优点包括:有效增强离子的稳定性,能提高离子的激发分辨力等。
申请公布号 CN103227095B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201210022023.3 申请日期 2012.01.31
申请人 上海华质生物技术有限公司 发明人 徐国宾;杨芃原
分类号 H01J49/10(2006.01)I;H01J49/42(2006.01)I 主分类号 H01J49/10(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种线性离子阱结构,其特征在于,所述线性离子阱结构至少包括:第一电极,用于连接强射频电压的正极<u>,</u>其中,所述电极包括两子电极,所述第一电极的每个子电极均连接强射频电压的正极;与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极,所述第二电极包括四个分离的子电极,所述第二电极的四个子电极均连接射频电源电压的负极或地,且同侧的第二电极的两个子电极之间有开口,第一电极比第二电极粗;贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极,第三电极呈平板状或弯折状,第三电极黏贴在第二电极外侧,所述第三电极包括四个子电极,每个第三电极的子电极贴近一个第二电极的子电极,用于耦合辅助射频电压,其中,所述狭缝相对于所述开口设置<u>,</u>第二电极接入90%的‑RF射频电压或者交流接地,同时,连接20%以下或不连接辅助射频电压,第三电极接入50%的‑RF射频电压或者交流接地,且第三电极连接90%以上耦合的辅助射频电压。
地址 200433 上海市杨浦区国定路335号B2001