发明名称 |
线性离子阱结构 |
摘要 |
本发明提供一种线性离子阱结构,其至少包括:用于连接强射频电压的正极的第一电极;与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极,用于连接强射频电压的负极或地;以及贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极,用于耦合辅助射频电压,其中,所述狭缝相对于所述开口设置。本发明的优点包括:有效增强离子的稳定性,能提高离子的激发分辨力等。 |
申请公布号 |
CN103227095B |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201210022023.3 |
申请日期 |
2012.01.31 |
申请人 |
上海华质生物技术有限公司 |
发明人 |
徐国宾;杨芃原 |
分类号 |
H01J49/10(2006.01)I;H01J49/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种线性离子阱结构,其特征在于,所述线性离子阱结构至少包括:第一电极,用于连接强射频电压的正极<u>,</u>其中,所述电极包括两子电极,所述第一电极的每个子电极均连接强射频电压的正极;与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极,所述第二电极包括四个分离的子电极,所述第二电极的四个子电极均连接射频电源电压的负极或地,且同侧的第二电极的两个子电极之间有开口,第一电极比第二电极粗;贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极,第三电极呈平板状或弯折状,第三电极黏贴在第二电极外侧,所述第三电极包括四个子电极,每个第三电极的子电极贴近一个第二电极的子电极,用于耦合辅助射频电压,其中,所述狭缝相对于所述开口设置<u>,</u>第二电极接入90%的‑RF射频电压或者交流接地,同时,连接20%以下或不连接辅助射频电压,第三电极接入50%的‑RF射频电压或者交流接地,且第三电极连接90%以上耦合的辅助射频电压。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区国定路335号B2001 |