| 发明名称 | 全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长第一、第二介质膜；其中，第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层；第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层；2）刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽；3）在光刻对准窗口和光刻对准沟槽表面生长第一介质膜；4）刻蚀出硅单晶窗口；5）全面式硅外延生长。本发明还公开了应用上述方法制作的光刻对准标记的结构。本发明通过调节外延淀积程序，在光刻对准标记表面形成非淀积区，解决了对准标记在外延生长后变形、消失的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103578968B | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201210276111.6 | 申请日期 | 2012.08.03 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘继全;高杏 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底上依次生长第一介质膜和第二介质膜；其中，第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层；第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层；2）在预定的光刻对准区域刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽；3）在光刻对准窗口和光刻对准沟槽的表面生长第一介质膜；4）在预定区域刻蚀出硅单晶窗口；5）全面式硅外延生长，在第二介质膜上生长硅多晶或硅非晶，在硅单晶窗口生长硅单晶，在光刻对准区域不生长硅晶体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||