发明名称 一种发光二极管的电极结构
摘要 本发明公开了一种发光二极管电极结构,所述发光二极管电极为正方形电极,其分为上下两部分,其中下部分电极为平坦电极,上部分电极为凸块电极,凸块电极包括一个第一凸块电极,多个第二凸块和多个第三凸块电极;其中,第一凸块电极位于发光二极管电极的中心,多个第二凸块电极位于以第一凸块电极为中心的相互垂直的交叉线上,从而与第一凸块电极形成形;多个第三凸块电极位于正方形的发光二极管电极的四个角落。
申请公布号 CN103606612B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201310515805.5 申请日期 2013.10.26
申请人 溧阳市东大技术转移中心有限公司 发明人 丛国芳
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 黄明哲
主权项 一种发光二极管电极结构,其特征在于:所述发光二极管电极为正方形电极,其分为上下两部分,其中下部分电极为平坦电极,上部分电极为凸块电极;凸块电极包括一个第一凸块电极,多个第二凸块电极和多个第三凸块电极;其中,第一凸块电极位于发光二极管电极的中心,多个第二凸块电极位于以第一凸块电极为中心的相互垂直的交叉线上,从而与第一凸块电极形成十字形;多个第三凸块电极位于正方形的发光二极管电极的四个角落;第一凸块电极和多个第三凸块电极为正方形,第一凸块电极边长为第三凸块电极边长的两倍;多个第二凸块电极为长方形,其长等于第一凸块电极的边长,其宽等于第三凸块电极的边长;第一凸块电极、第二凸块电极、第三凸块电极的高度相同;其中,平坦电极的下方为P型半导体层,使得该平坦电极作为发光二极管的下电极。
地址 213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号