发明名称 一种Co<sub>2</sub>VAl半金属表面制备工艺
摘要 本发明提供了一种Co<sub>2</sub>VAl半金属表面制备工艺,包括以下步骤:第一步:构建块材结构,验证Co<sub>2</sub>VAl的基态是具有半金属特性的铁磁体;第二步:构建表面结构,分别取25、25、23和23个原子层并且厚度为12Å的真空对称性地加在薄膜的两端以避免相邻薄膜层的相互作用;第三步:对上述四种表面进行结构优化,为了尽可能的接近实际,允许外面前5层的原子位置弛豫,其他原子位置固定;第四步:计算优化后的表面结构的态密度、磁矩等物理量;第五步:分析表面结构的态密度、磁矩、自旋极化及稳定性;第六步:通过图形和表格的分析和比较,获得具有100%自旋极化且结构稳定的半金属表面薄膜。
申请公布号 CN105655483A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201610020906.9 申请日期 2016.01.13
申请人 许昌学院 发明人 张元敏;韩红培;王红玲
分类号 H01L43/12(2006.01)I 主分类号 H01L43/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种Co<sub>2</sub>VAl半金属表面制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:第一步:构建块材结构;根据实验结果,构建Co<sub>2</sub>VAl块材结构的理论模型,通过铁磁、反铁磁和顺磁三种不同状态下计算Co<sub>2</sub>VAl块材的总能量与体积的变化关系,验证该晶体的基态是具有半金属特性的铁磁体;第二步:构建表面结构;构建了Co<sub>2</sub>VAl (111)方向的四种表面结构,对此4种表面,我们分别取25、25、23和23个原子层并且厚度为12 Å的真空对称性地加在薄膜的两端以避免相邻薄膜层的相互作用;第三步:对上述四种表面进行结构优化;在优化的过程中,为了尽可能的接近实际,允许外面前5层的原子位置弛豫,其他原子位置固定;第四步:计算优化后的表面结构的态密度、磁矩等物理量;对态密度和磁矩的计算,主要包括表面层、次表面层、中心层原子的总态密度和d电子的分态密度及磁矩;第五步:分析表面结构的态密度、磁矩、自旋极化及稳定性;对态密度分析,我们利用图示法,而对磁矩和自旋极化的分析,利用列表比较的工艺;第六步:通过对第五步中图形和表格分析和比较,获得具有100%自旋极化且结构稳定的半金属表面薄膜。
地址 461000 河南省许昌市魏都区八一路88号许昌学院
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