| 发明名称 | 鳍型装置系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种鳍型装置系统和方法。在特定实施例中，揭示一种制造晶体管的方法，其包含在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极，以及在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极。所述方法还包含形成凸起的源极-漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。 | ||
| 申请公布号 | CN105655336A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201610006469.5 | 申请日期 | 2010.09.01 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;韩秉莫 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极；在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极；以及形成凸起的源极‑漏极通道，即鳍，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||