发明名称 |
掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法,其中,所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括:提供一铜衬底,在所述铜衬底上形成镍薄膜层;在所述镍薄膜层上选择一特定区域,在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素,以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区;对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底;然后在甲烷环境下进行第二阶段保温,以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质,利用离子注入技术,实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂,从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。 |
申请公布号 |
CN105655242A |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201410675336.8 |
申请日期 |
2014.11.21 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
狄增峰;王刚;陈达;郭庆磊;马骏;郑晓虎;戴家赟;薛忠营;张苗;丁古巧;谢晓明 |
分类号 |
H01L21/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种掺杂石墨烯的制备方法,其特征在于,所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括:提供一铜衬底,在所述铜衬底上形成镍薄膜层;在所述镍薄膜层上选择一特定区域,在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素,以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区;对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底,从而使注入到所述镍薄膜层特定区域中的N型掺杂元素和P型掺杂元素在所述铜镍合金衬底的表面聚集;然后在甲烷环境下进行第二阶段保温,以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯;最后缓慢冷却降至室温。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |