用于发光装置的发光区域

摘要

一种发光装置包括：具有n型III-V族半导体的第一层；与所述第一层相邻的第二层，所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料。在某些例子中，所述有源材料具有密度在大约1个V凹点/μm²与30个V凹点/μm²之间的一个或多个V凹点。所述发光装置包括与所述第二层相邻的第三层，所述第三层包括p型III-V族半导体。

主权项

一种形成发光二极管的方法，包括：形成有源层，所述有源层具有在50nm与200nm之间的厚度并且包括量子阱层和垒层；以及形成p型III‑V族半导体层，其中，形成所述有源层包括：通过将包括镓的III族前驱物、包括氮的V族前驱物和第一流率的氢气(H₂)引入反应室来形成所述垒层；以及通过将所述III族前驱物、所述V族前驱物和比所述第一流率低的第二流率的氢气(H₂)引入反应室来形成所述量子阱层，其中所述有源层是在被选择为在所述有源层中生成一个或多个V凹点的生长条件下形成的，所述一个或多个V凹点在所述有源层与所述p型III‑V族半导体层之间的界面处具有一个或多个开口，所述V凹点在所述界面处具有在10个V凹点/μm²与20个V凹点/μm²之间的密度和在10％与20％之间的所述界面的表面覆盖率密度。